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参数目录49892
> RDN150N20FU6 MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
型号:
RDN150N20FU6
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RDN150N20FU6 PDF
产品目录绘图
TO-220FM, TO-220FN
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
64nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1224pF @ 10V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FN
包装
散装
产品目录页面
1638 (CN2011-ZH PDF)
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